کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794227 | 1023693 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and fabrication of quantum dots superluminescent diodes using the indium-flush technique: A new approach in controlling the bandwidth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Broadband superluminescent diodes incorporating multiple layers of InAs quantum dots (QDs), where the dots height was deliberately varied from one layer to another have been grown and characterized. We used the indium-flush process to accurately control the emission energy of each layer of dots, enabling us to reliability and predictably engineer the bandwidth of the overlapped layers. Photoluminescence spectrum of four combined layers of QDs with full-width at half-maximum of 125 nm at peak wavelength energy of 1.06 μm was obtained. A 3 dB bandwidth emission spectrum of 80 nm and output power of 1 mW was obtained under CW operation mode at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 1803–1806
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 1803–1806
نویسندگان
S. Haffouz, S. Raymond, Z.G. Lu, P.J. Barrios, D. Roy-Guay, X. Wu, J.R. Liu, D. Poitras, Z.R. Wasilewski,