کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795275 | 1524483 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative structure determination of GaAs(0Â 0Â 1) under typical MBE conditions using synchrotron X-ray diffraction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Surface structures of GaAs(0Â 0Â 1) under molecular beam epitaxy conditions are described on the basis of in situ X-ray diffraction measurements. Exploiting the high-intensity, high angular resolution and element sensitivity of synchrotron X-rays, we revealed the details of the most frequently used surfaces including several phases of (2Ã4) and c(4Ã4).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 16-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 16-21
نویسندگان
M. Takahasi, J. Mizuki,