کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795381 | 1023721 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of GaSb layers on GaAs (0Â 0Â 1) substrates by using three-step ZnTe buffer layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Molecular beam epitaxy of GaSb layers on GaAs (0Â 0Â 1) substrates by using three-step ZnTe buffer layers Molecular beam epitaxy of GaSb layers on GaAs (0Â 0Â 1) substrates by using three-step ZnTe buffer layers](/preview/png/1795381.png)
چکیده انگلیسی
We report on the MBE growth of GaSb layer by using three-step ZnTe buffer layer: a thin ZnTe buffer layer was grown at 250 °C (LT-buffer), then annealed at 330 °C (HT-annealing) and a thick buffer layer was grown at 310 °C (HT-buffer). The effect of a three-step buffer on the surface and structural quality of the GaSb layer has been investigated. Two-dimensional reciprocal space mapping (RSM) results of the GaSb layers clearly indicate that the structural deformation of the GaSb layer is greatly reduced by introducing the ZnTe buffer, which remarkably improves the crystallinity of the GaSb layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 40-44
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 40-44
نویسندگان
Woong Lee, Siyoung Kim, Sunggook Choi, Hongchan Lee, Sangtae Lee, Seunghwan Park, Takafumi Yao, Joonsuk Song, Hangju Ko, Jiho Chang,