کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795653 | 1023726 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of dilute nitride alloys of GaInSb lattice-matched to GaSb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of dilute nitride alloys of GaInSb by plasma-assisted molecular beam epitaxy is reported. The principle of lattice matching GaInNSb alloys to GaSb(0 0 1) substrates is demonstrated. High resolution X-ray diffraction rocking curves and reciprocal space maps indicate the high crystalline quality of the GaInNSb layers and illustrate a lattice match to GaSb with nitrogen and indium incorporations of 1.8% and 8.4%, respectively. The rms roughness of a nominally lattice matched GaInNSb/GaSb(0 0 1) layer was determined from atomic force microscopy to be ∼1.8nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 304, Issue 2, 15 June 2007, Pages 338–341
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 304, Issue 2, 15 June 2007, Pages 338–341
نویسندگان
P.H. Jefferson, L. Buckle, B.R. Bennett, T.D. Veal, D. Walker, N.R. Wilson, L.F.J. Piper, P.A. Thomas, T. Ashley, C.F. McConville,