کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795953 | 1524485 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RTâ¼200 °C)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using the ArF excimer laser-induced MOCVD method, InNxOy thin films are grown on a glass substrate. The photolytical decomposition of NH3 enables to grow them even at room temperature. It is found that the InNxOy thin films grown at a temperature less than 250 °C show an excellent photocatalytic decomposition of H2S under UV irradiation, while the activity of the films grown at a temperature higher than 300 °C is very small, less than 14 of that for the low-temperature films. The excellent photocatalytic activity for the low-temperature films is closely related to the amorphous phase of the films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 390-393
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 390-393
نویسندگان
A. Yamamoto, M. Miyanishi, T. Kunishige, T. Kobayashi, A. Hashimoto, Y. Nambo,