کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796301 | 1023741 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
(InP)5/(Ga0.47In0.53As)4 short-period superlattices waveguides for InAs quantum wires lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: (InP)5/(Ga0.47In0.53As)4 short-period superlattices waveguides for InAs quantum wires lasers (InP)5/(Ga0.47In0.53As)4 short-period superlattices waveguides for InAs quantum wires lasers](/preview/png/1796301.png)
چکیده انگلیسی
Waveguides formed by (InP)5/(Ga0.47In0.53As)4 short-period superlattices (SPSL) have been grown and characterized for their use as waveguides in InAs self-assembled quantum wires (QWR) lasers. Atomic force microscopy has been used to characterize both the SPSL and the QWR morphology quality. It is demonstrated that the shape of the QWR strongly depends on the roughness of the SPSL surface and that an atomically flat surface is necessary to obtain a uniform QWR size and shape morphology. Photoluminescence (PL) spectroscopy is also employed as a feedback to achieve the optimum growth parameters in order to obtain high-quality QWR confined by SPSL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 1, 1 August 2007, Pages 16-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 1, 1 August 2007, Pages 16-21
نویسندگان
F. Suárez, D. Fuster, L. González, Y. González, J.M. GarcÃa, M.L. Dotor,