کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
279450 | 1430357 | 2008 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of geometry upon the performance of a thin film ferroelectric capacitor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی عمران و سازه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The finite element method is used to investigate the performance of a ferroelectric random access memory as a function of its geometry. Performance is characterised by the charge versus electric field relation, and the sensitivity of performance to geometry is explored. The primary geometric variables are the dimensions of a prismatic two-dimensional (2D) island of ferroelectric material, and the edge inclination angle caused by the etching process along the sides of the island. The performance of the two-dimensional ferroelectric device is compared to those of an unsupported ferroelectric thin film and of a ferroelectric film bonded to a substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Solids and Structures - Volume 45, Issues 7–8, April 2008, Pages 2024–2041
Journal: International Journal of Solids and Structures - Volume 45, Issues 7–8, April 2008, Pages 2024–2041
نویسندگان
I. Pane, N.A. Fleck, J.E. Huber, D.P. Chu,