کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970825 | 1450303 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect correlated with positive charge trapping in functional HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance: Evidence for oxygen vacancy?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 112-115
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 112-115
نویسندگان
A. Stesmans, V.V. Afanas'ev,