کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970835 | 1450303 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-high thermal stability and extremely low Dit on HfO2/p-GaAs(001) interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 154-157
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 154-157
نویسندگان
H.W. Wan, Y.H. Lin, K.Y. Lin, T.W. Chang, R.F. Cai, J. Kwo, M. Hong,