| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 4970836 | 1450303 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
DLTS spectra recorded before and after a negative voltage stress (â 600 V) highlight a modification in trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes.133
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 158-163
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 158-163
نویسندگان
Philippe Ferrandis, Matthew Charles, Charlotte Gillot, René Escoffier, Erwan Morvan, Alphonse Torres, Gilles Reimbold,