کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970838 1450303 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of the HfO2/Al2O3 stacking order on unipolar RRAM devices
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Impact of the HfO2/Al2O3 stacking order on unipolar RRAM devices
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 168-172
نویسندگان
, , ,