کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970845 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of border and interfacial traps in ALD-Y2O3 and -Al2O3 on GaAs via electrical responses - A comparative study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 199-203
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 199-203
نویسندگان
T.W. Chang, K.Y. Lin, Y.H. Lin, L.B. Young, J. Kwo, M. Hong,