کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970846 | 1450303 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Examining the relationship between capacitance-voltage hysteresis and accumulation frequency dispersion in InGaAs metal-oxide-semiconductor structures based on the response to post-metal annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Examining the relationship between capacitance-voltage hysteresis and accumulation frequency dispersion in InGaAs metal-oxide-semiconductor structures based on the response to post-metal annealing Examining the relationship between capacitance-voltage hysteresis and accumulation frequency dispersion in InGaAs metal-oxide-semiconductor structures based on the response to post-metal annealing](/preview/png/4970846.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 204-208
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 204-208
نویسندگان
Jun Lin, Scott Monaghan, Karim Cherkaoui, Ian M. Povey, Brendan Sheehan, Paul K. Hurley,