کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970849 1450303 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Capacitance-voltage characterization of Al2O3/GaN-on-insulator (GaNOI) structures with TMAH surface treatment
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Capacitance-voltage characterization of Al2O3/GaN-on-insulator (GaNOI) structures with TMAH surface treatment
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 217-220
نویسندگان
, , , , , ,