کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010409 | 1462207 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A high aspect ratio silicon-fin FinFET fabricated upon SOI wafer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Three dimensional (3-D) FinFET devices with an ultra-high Si-fin aspect ratio (Height/Width = 82.9 nm/8.6 nm) have been developed after integrating a 14 Ã
nitrided gate oxide upon the silicon on insulator (SOI) wafers through an advanced CMOS logic platform. The drive current (ION), off current (IOFF), subthreshold swing (SS), drain-induced barrier lowering (DIBL) and transistor gate delay of 30Â nm gate length (Lg) of FinFETs illustrate the promising device performance. The TCAD simulations demonstrate that both threshold voltage (Vth) and off current can be adjusted appropriately through the full silicidation (FUSI) of CoSi2 gate engineering. Moreover, the drive currents of n- and p-channel FinFETs are able to be further enhanced once applying the raised Source/Drain (S/D) approach technology for reducing the S/D resistance drastically.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 46-50
Journal: Solid-State Electronics - Volume 126, December 2016, Pages 46-50
نویسندگان
Yue-Gie Liaw, Wen-Shiang Liao, Mu-Chun Wang, Cheng-Li Lin, Bin Zhou, Haoshuang Gu, Deshi Li, Xuecheng Zou,