کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5396058 | 1505740 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS](/preview/png/5396058.png)
چکیده انگلیسی
Hard X-ray photoemission spectroscopy experiments are attractive because they can probe more deeply. The paper reviews two topics on the non-destructive characterization of high-κ/high-μ gate stacks using hard X-ray (hν = 7.94 keV) photoemission spectroscopy. The first topic is the change in the compositional depth profiles and the chemical bonding states of HfO2/Si-cap/strained-Ge/Si0.5Ge0.5/Si(1 0 0) laminating structures. The second topic is the influence of various surface treatments (HF, (NH4)2S and HMDS treatments) and La2O3 interlayer insertion on the chemical bonding states at high-κ/In0.53Ga0.47As interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 190, Part B, October 2013, Pages 295-301
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 190, Part B, October 2013, Pages 295-301
نویسندگان
H. Nohira, A. Komatsu, K. Yamashita, K. Kakushima, H. Iwai, K. Sawano, Y. Shiraki,