کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539856 | 871275 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Variation in process conditions of porogen-based low-k films: A method to improve performance without changing existing process steps in a sub-100Â nm Cu damascene integration route
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The integration process was robust against these variations, showing good electrical yield for all process splits. RC-product was improved when using a shorter curing time and when an anneal step prior to CuO reduction was performed. The use of a thicker capping layer decreased capacitance, showing an improved protection against damage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 311-315
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 311-315
نویسندگان
D. De Roest, Y. Travaly, J. Beynet, H. Sprey, J. Labat, C. Huffman, P. Verdonck, S. Kaneko, K. Matsushita, N. Kobayashi, G. Beyer,