کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539892 | 871275 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physics of direct bonding: Applications to 3D heterogeneous or monolithic integration
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Direct wafer bonding and thinning technologies are now extensively used in combination to produce SOI wafers (silicon-on-insulators) or innovative engineered substrates. Emerging demands of new functionalities at the material or device level for 3D integration have allowed increasing the level of maturity of these technologies. This paper will review the physics of wafer direct bonding and its implementation for vertical integration devices of processed strata with vertical interconnects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 477–484
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 477–484
نویسندگان
Pierric Gueguen, Caroline Ventosa, Léa Di Cioccio, Hubert Moriceau, François Grossi, Maurice Rivoire, Patrick Leduc, Laurent Clavelier,