کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5399095 | 1392673 | 2016 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bright luminance from silicon dioxide film with carbon nanotube electron beam exposure
ترجمه فارسی عنوان
روشنایی روشن از فیلم دی اکسید سیلیکون با اشعه الکترونیک نانولوله کربنی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دی اکسید سیلیکون، کاتودولومینسانس، پرتو الکترون، نانولوله کربنی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
We observed the bright bluish-white luminescence with naked eye from carbon nanotube electron beam exposed silicon dioxide (SiO2) thin film on Si substrate. The luminescence shows a peak intensity at 2.7Â eV (460Â nm) with wide spread up to 600Â nm after the C-beam exposed on SiO2 thin film. The C-beam exposure system is composed of carbon nanotube emitters as electron beam source. The brightness strongly depend on the exposure condition. Luminescence characteristic was optimized by C-beam adjustment to observe with the naked eye. The cause of luminescence in the C-beam exposed SiO2 thin film is analyzed by CL microscopy, FT-IR, AFM and ellipsometer. Decrease of Si-O bonding was observed after C-beam exposure, and this reveals that oxygen deficient defects which are irradiation-sensitive cause 2.7Â eV peak of luminescence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 170, Part 1, February 2016, Pages 312-316
Journal: Journal of Luminescence - Volume 170, Part 1, February 2016, Pages 312-316
نویسندگان
Su Woong Lee, Ji Hwan Hong, Jung Su Kang, Shikili Callixte, Kyu Chang Park,