کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540122 | 1450398 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving the sensitivity and line edge roughness in inorganic positive electron beam resist
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Need for inorganic electron beam resist with higher sensitivity and resolution is indisputable. We have developed such a resist that also shows lower line edge roughness. It is pre-baked at 300 °C. By using 4 kV EB we have delineated 40 nm lines pattern and honeycomb structure Photonic crystal pattern.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 5–8, May–August 2007, Pages 1071–1074
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 5–8, May–August 2007, Pages 1071–1074
نویسندگان
Kenta Ogino, Jun Taniguchi, Shin-ichi Satake, Keisuke Yamamoto, Yoshiaki Ishii, Kiyoshi Ishikawa,