کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541169 | 1450331 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of self-aligned gate-all-around polycrystalline silicon nanowires field-effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکتریکی ترانزیستورهای میدان مغناطیسی نانوسیم سیلیکون پلی کریستالین گیت خود محوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Low temperature (≤ 600 °C) polycrystalline silicon nanowires field-effect transistors have been developed following a top-down approach and classical photolithography techniques. N channel transistors have been tested with a single top-gate, bottom-gate and gate-all-around architecture in order to compare their electrical performances in relation to the interface state density. Analysis shows that surrounding gate enables control of parameters such as on-current, subthreshold slope and threshold voltage and offer potential further applications.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 150, 25 January 2016, Pages 32–38
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 150, 25 January 2016, Pages 32–38
نویسندگان
Brice Le Borgne, Anne-Claire Salaün, Laurent Pichon,