کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542121 | 1450338 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Printability of defects in Talbot lithography
ترجمه فارسی عنوان
چاپ نقد در لیتوگرافی تالبوت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اثر تالبوت، لیتوگرافی شبیه سازی، مقاومت کردن، کاستی، ماسک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
• ArF Talbot lithography is proposed for submicron pattern transfer.
• Effect of a defect on the pattern size in simulation and experiment is discussed.
• Talbot lithography is more resistant to mask defects than reduction lithography.
• The focal depth is more than 1 micron even if a defective mask is used.
We conduct a simulation and experiment to investigate the effect of a defect on the pattern size around the defect in ArF Talbot lithography proposed for submicron pattern transfer. We confirm that the focal depth is more than 1 micron even if a defective mask is used. Talbot lithography with a 1:1 mask is more resistant than reduction projection lithography against the effects of mask defects.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 143, 1 August 2015, Pages 21–24
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 143, 1 August 2015, Pages 21–24
نویسندگان
Takashi Sato, Akiko Yamada, Takeshi Suto, Ryoichi Inanami, Kazuto Matsuki, Shinichi Ito,