کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543187 | 871638 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Channel hot-carrier degradation in pMOS and nMOS short channel transistors with high-k dielectric stack
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Channel hot-carrier degradation in pMOS and nMOS short channel transistors with high-k dielectric stack Channel hot-carrier degradation in pMOS and nMOS short channel transistors with high-k dielectric stack](/preview/png/543187.png)
چکیده انگلیسی
A comparison between pMOS and nMOS short channel transistors with high-k dielectric subjected to channel hot-carrier (CHC) stress is presented. Smaller CHC degradation is observed in pMOS devices. At high temperature, the CHC degradation increases for pMOS and nMOS. The temperature dependence of the CHC degradation has been explained, for both transistor types, by considering a larger influence of a bias temperature instability (BTI)-related component of the total CHC induced degradation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 1, January 2010, Pages 47–50
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 1, January 2010, Pages 47–50
نویسندگان
E. Amat, T. Kauerauf, R. Degraeve, R. Rodríguez, M. Nafría, X. Aymerich, G. Groeseneken,