کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543383 | 1450394 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface passivation and implications on high mobility channel performance (Invited Paper)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We review our recent studies of the passivation of the GaAs and InGaAs surface using a combination of insitu and ex situ surface analysis and capacitor measurements. We find that the control of Ga-oxides in particular appears to play an important role in understanding the characteristics of III–V MOS devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1544–1549
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1544–1549
نویسندگان
C.L. Hinkle, M. Milojevic, E.M. Vogel, R.M. Wallace,