کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543429 | 1450394 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The progress and challenges of threshold voltage control of high-k/metal-gated devices for advanced technologies (Invited Paper)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper discusses recent progress in and challenges of threshold voltage control for advanced high-k/metal-gated (HKMG) devices. It presents the impact on threshold voltage (Vt) control of incorporating La and Al into HKMG devices. A dipole moment model explaining Vt tuning of HfSiON/metal-gated MOSFETs is proposed. In addition, a dual channel scheme that allows La2O3 capping in NMOS and a SiGe channel in PMOS to achieve acceptable Vt for HKMG CMOS devices will be discussed. Also shown is the impact of the robustness of the SiO2/Si interface on the HKMG MOSFET Vt-equivalent oxide thickness (EOT) roll-off. Finally, techniques to improve the interface quality of a HKMG stack will be discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1722–1727
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1722–1727
نویسندگان
Hsing-Huang Tseng, Paul Kirsch, C.S. Park, Gennadi Bersuker, Prashant Majhi, Muhammad Hussain, Raj Jammy,