کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544045 | 871702 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in thin SiO2 films: Realization of a nanoscale tunnel rectifier
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in thin SiO2 films: Realization of a nanoscale tunnel rectifier Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in thin SiO2 films: Realization of a nanoscale tunnel rectifier](/preview/png/544045.png)
چکیده انگلیسی
Conductive atomic force microscopy has been used to measure the I–V characteristics of nanometric Au clusters embedded in a SiO2 film prepared by sputter deposition and low temperature annealing. Highly local asymmetric rectifier I–V characteristics were evidenced and modelled in terms of electrical transport through an asymmetric double barrier tunnel junction SiO2/Au cluster/SiO2. The threshold voltage depends strongly on the cluster size and barrier thickness according to the model given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 3, March 2007, Pages 532–537
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 3, March 2007, Pages 532–537
نویسندگان
F. Ruffino, M.G. Grimaldi,