کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544085 | 871704 | 2006 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced breakdown voltage and reduced self-heating effects in thin-film lateral bipolar transistors: Design and analysis using 2-D simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we present our two-dimensional numerical simulation studies and analysis of the enhanced breakdown and self-heating characteristics of a new collector-tub three-zone step doped thin-film lateral bipolar transistor (CT-SLBT) on silicon-on-insulator (SOI), which shows enhanced breakdown voltage as high as 80% when compared with that of the conventional uniformly doped lateral bipolar transistor (LBT) on SOI. The design issues and the reasons for the improved performance are discussed in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 303–311
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 2, February 2006, Pages 303–311
نویسندگان
Sukhendu Deb Roy, M. Jagadesh Kumar,