کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544479 | 871766 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of interface trap density of metal–oxide-semiconductor devices with Pr2O3 gate dielectric using conductance method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this study, the interface trap density of metal–oxide-semiconductor (MOS) devices with Pr2O3 gate dielectric deposited on Si is determined by using a conductance method. In order to determine the exact value of the interface trap density, the series resistance is estimated directly from the impedance spectra of the MOS devices. Subsequently, the dispersion characteristics are numerically analyzed on the basis of a statistical model. Lastly, the process-dependent interface trap density of Pr2O3 is evaluated. It is concluded that high-pressure annealing and a superior quality interfacial SiO2 layer are of crucial importance for achieving a sufficiently low interface trap density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 6, June 2011, Pages 872–876
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 6, June 2011, Pages 872–876
نویسندگان
Sanghun Jeon, Sungho Park,