کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544573 | 871770 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Copper plating for 3D interconnects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we report on Cu plating of through-silicon-vias (TSV-s) using in-house made acidic Cu bath with model additives (SPS, PEG, and JGB). Although the model additives might not be as potent as commercial additives, they have been studied in detail, and their role in Cu plating has been described extensively in scientific literature. This in turn allows deeper insight into how changes in bath composition affect the plating mechanism and Cu via-fill.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 701–704
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 701–704
نویسندگان
A. Radisic, O. Lühn, H.G.G. Philipsen, Z. El-Mekki, M. Honore, S. Rodet, S. Armini, C. Drijbooms, H. Bender, W. Ruythooren,