کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544579 | 871770 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization and modeling of RF substrate coupling effects in 3D integrated circuit stacking
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization and modeling of RF substrate coupling effects in 3D integrated circuit stacking Characterization and modeling of RF substrate coupling effects in 3D integrated circuit stacking](/preview/png/544579.png)
چکیده انگلیسی
This work addresses parasitic substrate coupling effects in 3D integrated circuits due to Through Silicon Vias (TSV). Electrical characterizations have been performed on dedicated test structures in order to extract electrical models of substrate coupling phenomena when RF signals are propagated in TSV. A good compatibility between RF measurements and RF simulations allows validating modeling tools for predictive studies. Next, parametric studies are performed in order to study impact of TSV design and materials on substrate coupling noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 729–733
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 729–733
نویسندگان
E. Eid, T. Lacrevaz, C. Bermond, S. Capraro, J. Roullard, B. Fléchet, L. Cadix, A. Farcy, P. Ancey, F. Calmon, O. Valorge, P. Leduc,