کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544582 | 871770 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integration challenges of copper Through Silicon Via (TSV) metallization for 3D-stacked IC integration
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Integration challenges of copper Through Silicon Via (TSV) metallization for 3D-stacked IC integration Integration challenges of copper Through Silicon Via (TSV) metallization for 3D-stacked IC integration](/preview/png/544582.png)
چکیده انگلیسی
In this paper we will highlight key integration issues that were encountered during the development of the 3D-stacked IC Through Silicon Via (TSV) module and present solutions to achieve a robust copper TSV. Electrical performance of the obtained TSV module is discussed based on a lumped RC model for 3D ring oscillators containing TSVs between bottom and top tiers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 745–748
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 745–748
نویسندگان
J. Van Olmen, C. Huyghebaert, J. Coenen, J. Van Aelst, E. Sleeckx, A. Van Ammel, S. Armini, G. Katti, J. Vaes, W. Dehaene, E. Beyne, Y. Travaly,