کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489185 | 1524352 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interfacial characteristics of Y2O3/GaSb(001) grown by molecular beam epitaxy and atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Interfacial characteristics of Y2O3/GaSb(001) grown by molecular beam epitaxy and atomic layer deposition Interfacial characteristics of Y2O3/GaSb(001) grown by molecular beam epitaxy and atomic layer deposition](/preview/png/5489185.png)
چکیده انگلیسی
High quality Y2O3 on GaSb was achieved using both molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer deposition (ALD) with interfacial characteristics studied by in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and metal-oxide-semiconductor (MOS) electrical measurements. Ga-oxide and stoichiometric Sb-oxides were obtained in the MBE-Y2O3/GaSb and non-stoichiometric Sb2Ox (x<4) was found in the ALD-Y2O3/GaSb according to the XPS spectra. From the capacitance-voltage (CV) measurements, MBE-Y2O3 provides lower interfacial trap density (Dit) grown at elevated temperature of 200°C, while ALD-grown Y2O3 shows smaller hysteresis and higher dielectric constant.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 164-168
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 164-168
نویسندگان
Y.H. Lin, K.Y. Lin, W.J. Hsueh, L.B. Young, T.W. Chang, J.I. Chyi, T.W. Pi, J. Kwo, M. Hong,