کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489429 | 1524365 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaP-interlayer formation on epitaxial GaAs(100) surfaces in MOVPE ambient
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Interfaces - A1 رابط هاA1. Growth models - A1 مدل های رشدA1. High resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA3. Metalorganic vapor phase epitaxy - A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزیB2. Semiconducting gallium compounds - B2 ترکیبات گالیم نیمه هادیB2. Semiconducting III-V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The challenge to embed a single monolayer of phosphorus during epitaxial gallium arsenide (GaAs) growth triggers numerous questions regarding practical preparation, effective analysis, and fundamental consideration of the resulting interlayers. Beyond better understanding of III-V heterointerface formation processes, precise interlayer incorporation may enable enhanced interface design, effective diffusion barriers, and advanced band structure engineering. We employ metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) in various growth modes (continuous, with interruptions, pulsed, surface exchange) targeting the most abrupt incorporation of thinnest GaP films in the GaAs(100) matrix. The intensities of higher order interference fringes in high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) serve as a measure of the effective GaPxAs1âx film thickness and P concentration, which is compared to compositional analysis based on scanning transmission electron microscopy (STEM). In situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS) provided us with insights to the GaAs(100) surface configurations relevant during the P interlayer preparation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 464, 15 April 2017, Pages 2-7
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 464, 15 April 2017, Pages 2-7
نویسندگان
Henning Döscher, Philip Hens, Andreas Beyer, Leander Tapfer, Kerstin Volz, Wolfgang Stolz,