کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489857 | 1524374 | 2016 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium doping of GaN by metalorganic chemical vapor deposition for polarization screening applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Germanium doping of GaN by metalorganic chemical vapor deposition for polarization screening applications Germanium doping of GaN by metalorganic chemical vapor deposition for polarization screening applications](/preview/png/5489857.png)
چکیده انگلیسی
We demonstrate n-type doping of GaN with Ge by MOCVD at high concentrations that are necessary to fully screen the polarization fields in c-plane InGaN/GaN quantum wells. Hall measurements show linear Ge incorporation with dopant flow rate and carrier concentrations exceeding 1Ã1020Â cmâ3. GaN:Ge layers exhibit excellent electron mobility, high conductivity, and contact resistivity comparable to the best unannealed contacts to Si-doped GaN. However, the surface morphology begins to degrade with Ge concentrations above 1Ã1019Â cmâ3, resulting in severe step bunching and a network of plateaus and trenches, even in layers as thin as 10Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 455, 1 December 2016, Pages 105-110
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 455, 1 December 2016, Pages 105-110
نویسندگان
N.G. Young, R.M. Farrell, M. Iza, S. Nakamura, S.P. DenBaars, C. Weisbuch, J.S. Speck,