کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6535156 49293 2015 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Higher quality mono-like cast silicon with induced grain boundaries
ترجمه فارسی عنوان
سیلیکون ریخته گری مؤثر با کیفیت بالاتر با مرزهای دانه ای ایجاد شده است
کلمات کلیدی
سیلیکون، مونو دوست، زیر غلات، جابجایی، کیفیت کریستال، بهره وری سلول،
ترجمه چکیده
مرزهای زیر دانه در ارتباط با خوشه های جابجایی به طور جدی به کیفیت سیلیکون ریخته گری مانند مؤثر آسیب می رسانند، که کارایی سلول های خورشیدی را کاهش می دهد. در اینجا، ما یک تکنیک جدید برای رشد سیلیکون ریخته گری مونو را با ایجاد مرزهای دانه خاص ایجاد کرده ایم. مرزهای دانه خاص با کنترل روش قرار دادن دانه در انتهای بوته ایجاد می شوند. مشخص شده است که مرزهای زیر دانه در شمش های جدید کاملا سرکوب شده اند که توسط اندازه گیری های فوتولومینسانس و الکترولیومینسانس روشن می شود. بنابراین، در مقایسه با شمش آلومینیوم معمولی، طول عمر حامل اقلیتی از شمش های جدید به طور قابل توجهی افزایش می یابد و بازده کوانتومی داخلی سلول های خورشیدی مربوطه به طور چشمگیری بهبود می یابد. در نتیجه، بازده تبدیل انرژی سلولهای خورشیدی به طور متوسط ​​18.1٪ است، که به طور مطلق بالاتر از مقدار معمولی 0.6٪ است. این نتایج برای بهبود کیفیت سیلیکون مونو و کاربرد آنها در فتوولتائیک اهمیت دارد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
پیش نمایش مقاله
سیلیکون ریخته گری مؤثر با کیفیت بالاتر با مرزهای دانه ای ایجاد شده است
چکیده انگلیسی
Sub-grain boundaries related to dislocation clusters are seriously detrimental to the quality of mono-like cast silicon, which reduce the efficiency of the solar cells. Here, we have developed a novel technique to grow the mono-like cast silicon by forming special grain boundaries. The special grain boundaries are induced by controlling the placing method of seeds at the bottom of crucible. It is found that the sub-grain boundaries in the new ingots are completely suppressed, which are clarified by the measurements of photoluminescence and electroluminescence. Therefore, compared to the conventional mono-like ingot, the minority carrier lifetime of the new ingots is significantly increased, and the internal quantum efficiency of corresponding solar cells gets obviously improved. As a result, the power conversion efficiency of the solar cells is averagely 18.1%, which is much higher than that of conventional ones by a value of 0.6% absolutely. These results are of significance for the quality improvement of mono-like silicon and their application in photovoltaics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 140, September 2015, Pages 121-125
نویسندگان
, , , , , , ,