کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942458 | 1450290 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Area-efficient ferroelectric multi-bit memory device
ترجمه فارسی عنوان
دستگاه حافظه چند بیتی فراوالکتریک محدوده کارآمد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پلی اتیلن حافظه چند بیتی، حافظه موثر منطقه، چند لایه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 194, 5 July 2018, Pages 61-66
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 194, 5 July 2018, Pages 61-66
نویسندگان
Woo Young Kim,