کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942821 | 1450326 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sensitivity of secondary electron yields and SEM images to scattering parameters in MC simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 114-117
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 114-117
نویسندگان
T. Verduin, S.R. Lokhorst, C.W. Hagen, P. Kruit,