| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 6942821 | 1450326 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Sensitivity of secondary electron yields and SEM images to scattering parameters in MC simulations
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 114-117
											Journal: Microelectronic Engineering - Volume 155, 2 April 2016, Pages 114-117
نویسندگان
												T. Verduin, S.R. Lokhorst, C.W. Hagen, P. Kruit,