کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942859 | 1450327 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Post-annealing processes to improve inhomogeneity of Schottky barrier height in Ti/Al 4H-SiC Schottky barrier diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 154, 25 March 2016, Pages 69-73
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 154, 25 March 2016, Pages 69-73
نویسندگان
Sinsu Kyoung, Eun-Sik Jung, Man Young Sung,