کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943125 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synaptic potentiation and depression in Al:HfO2-based memristor
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Synaptic potentiation and depression in Al:HfO2-based memristor
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 41-44
نویسندگان
, , , ,