کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943150 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of sidewall MOS channel on performance of AlGaN/GaN FinFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 155-158
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 155-158
نویسندگان
Dong-Hyeok Son, Young-Woo Jo, V. Sindhuri, Ki-Sik Im, Jae Hwa Seo, Yong Tae Kim, In Man Kang, Sorin Cristoloveanu, Maryline Bawedin, Jung-Hee Lee,