کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943166 1450334 2015 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effects of (NH4)2Sx treatment on n-GaN MOS device with nano-laminated ALD HfAlOx and Ru gate stack
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The effects of (NH4)2Sx treatment on n-GaN MOS device with nano-laminated ALD HfAlOx and Ru gate stack
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 210-214
نویسندگان
, , , , ,