کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943176 1450334 2015 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 244-248
نویسندگان
, , , , , , ,