کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943196 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-crystal atomic layer deposited Y2O3 on GaAs(0 0 1) - growth, structural, and electrical characterization
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Single-crystal atomic layer deposited Y2O3 on GaAs(0 0 1) - growth, structural, and electrical characterization
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 310-313
نویسندگان
, , , , , , ,