کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943196 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-crystal atomic layer deposited Y2O3 on GaAs(0Â 0Â 1) - growth, structural, and electrical characterization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 310-313
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 310-313
نویسندگان
S.Y. Wu, K.H. Chen, Y.H. Lin, C.K. Cheng, C.H. Hsu, J. Kwo, M. Hong,