کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943480 | 1450344 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ruthenium and ruthenium dioxide thin films deposited by atomic layer deposition using a novel zero-valent metalorganic precursor, (ethylbenzene)(1,3-butadiene)Ru(0), and molecular oxygen
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 16-22
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 16-22
نویسندگان
Seungmin Yeo, Ji-Yoon Park, Seung-Joon Lee, Do-Joong Lee, Jong Hyun Seo, Soo-Hyun Kim,