کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943620 1450363 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A technological and electrical study of self-aligned charge-trap split-gate memory devices
ترجمه فارسی عنوان
یک مطالعه تکنولوژیکی و الکتریکی از دستگاه های حافظه تقسیم گری شارژر خود تنظیم شده است
کلمات کلیدی
تقسیم دروازه، تله شارژ، فلاش، پنجره حافظه، پنجره برنامه نویسی، فوق العاده پوسته پوسته شدن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Ultra-scaled self-aligned split-gate memories were fabricated with memory gate lengths of 16 nm and select gate lengths of 30 nm; charge trapping layer is Si3N4. Functionality of such memories was demonstrated, with a programming window of 6.5 V (writing) and over than 6 V (erasing) at 20 μs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 15-19
نویسندگان
, , , , , , , , , , ,