کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943643 | 1450363 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fully CMOS-compatible top-down fabrication of sub-50Â nm silicon nanowire sensing devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Top-down fabrication of sub-50Â nm silicon nanowire sensors with various geometries.
- Excellent performance as backgated junctionless nanowire transistors (JNTs).
- Very good sensing capabilities.
- Among the smallest top-down fabricated nanowire sensing devices reported to date.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 47-53
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 47-53
نویسندگان
Yordan M. Georgiev, Nikolay Petkov, Brendan McCarthy, Ran Yu, Vladimir Djara, Dan O'Connell, Olan Lotty, Adrian M. Nightingale, Nuchutha Thamsumet, John C. deMello, Alan Blake, Samaresh Das, Justin D. Holmes,