کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943661 | 1450364 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation of Cu6Sn5 intermetallic compound by pore formation in solid-liquid interdiffusion Cu/Sn microbump interconnects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Degradation of Cu6Sn5 intermetallic compound by pore formation in solid-liquid interdiffusion Cu/Sn microbump interconnects Degradation of Cu6Sn5 intermetallic compound by pore formation in solid-liquid interdiffusion Cu/Sn microbump interconnects](/preview/png/6943661.png)
چکیده انگلیسی
- A degradation phenomenon of the Cu6Sn5 IMC in SLID interconnects was found.
- Degradation is caused by porosity due to a corrosive reaction with flux residues.
- Sn is dissolved from the solid Cu6Sn5 IMC during the pore formation.
- The composition of the remaining phase in the pore region is close to Cu3Sn.
- The complete transformation into non-porous Cu3Sn is possible after the removal of the flux residues.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 117, 1 April 2014, Pages 26-34
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 117, 1 April 2014, Pages 26-34
نویسندگان
Iuliana Panchenko, Kristof Croes, I. De Wolf, J. De Messemaeker, Eric Beyne, Klaus-Juergen Wolter,