کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943750 | 1450369 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular simulation of pattern formation in electron beam lithography
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی مولکولی تشکیل الگوی در لیتوگرافی پرتو الکترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
- Molecular simulation of electron beam lithography is performed.
- The effect of electron exposure is introduced by chain scission of polymer molecules.
- The small segments of polymer molecules are removed in the development process.
- The typical structure of atomic scale line edge roughness is revealed.
- Electron scattering is dominant for determining the atomic scale line edge roughness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 287-290
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 287-290
نویسندگان
Masaaki Yasuda, Hirofumi Sakai, Rina Takai, Hiroaki Kawata, Yoshihiko Hirai,