کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943907 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial thin films of BaSrO as gate dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Interface trap densities between single crystalline Ba0.7Sr0.3 O and Si (0Â 0Â 1). Results on p- and n-type substrates. Trap densities between 6 and 9Â ÃÂ 1011Â eVâ1Â cmâ2 were found close to midgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 152-155
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 152-155
نویسندگان
S. Islam, D. Müller-Sajak, K.R. Hofmann, H. Pfnür,