کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943961 | 1450373 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effects of supercritical CO2 formulations on the removal of high-dose ion-implanted photoresists
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- 3Â wt.% EH-3 and TMN-3 are chosen to form scCO2 microemulsions.
- 2Â vol.% DMSO and IPA can enhance HDI PR efficiency by 75.5% and 64.2%.
- DMSO and EH-3 show a positive synergistic effect on the stripping efficiency.
- scCO2 density tuned by temperature and pressure affects HDI PR stripping behavior.
- 100% Removal efficiency is achieved at 60 °C and 25 MPa for 20 min.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 108, August 2013, Pages 50-56
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 108, August 2013, Pages 50-56
نویسندگان
Bo Li, Tingting Han, Lei Wang, Qingpu Wang, Yuxiang Li,